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新．窮人救星!!

SAMSUNG Original DDR3-1600 4GB

Samsung 原裝記憶體模組近期再度成為熱門話題，賣點不僅是出色的穩定性，優秀超頻能力更成為近一代「窮人救星」，就算是入門級的「綠條」 DDR3-1600 ，在預設電壓下能穩超上 DDR3-2400 ，取得了 6 組來自至 WW24 、 25 、 26 的模組，經過數天的摸頂及 Sub-Timing 測試後， HKEPC 編輯部更成功在 1.65V 下超頻至 DDR3-2500 ，並在 1.69V 下達成 DDR3-2600 CL11-13-13-35 1T Dual-Channel 。

Samsung 原廠 DDR3-1600 模組

Samsung DDR3-1600 原廠 4GB 模組

SAMSUNG 記憶體顆粒的質量優秀，不少記憶體廠商均採用 Samsung Chips 推出高時脈的超頻記憶體，其實不少玩家均反映，入門級的 Samsung 原裝條其實隱藏了出色的超頻性能，稱得上是新一代「窮人救星」，要輕鬆超上 DDR-2000 以上絕無難度。

SAMSUNG Original DDR3-1600 4GB 記憶體，型號為 M378B5273CH0-CK0 ，採用 6 Layer PCB 設計，為強化穩定性而加入了大量電容減少雜號，採用了雙面 16 顆自家 K4B2G0846C-HCK0 ，其中 K 代表 SAMSUNG 、 4 代表為 DRAM 、 B 代表 DDR3 顆粒、 2G 代表 2Gb 顆粒、 08 代表 8 Bit Organization 、 4 代表 8 Banks 、 6 代表 STTL 1.5V 、 C 代表 4th Gen Revision 、 H 代表 FBGA Halogen and Lead Free 、 C 代表 0-85^oC Normal Power 、 K0 代表 DDR3-1600 CL11 。

採用自家 K4B2G0846C-HCK0 記憶體顆粒

DDR3-1600 預設 Timing 為 CL11-11-11-30

由於產品主攻入門級市場，因此產品並沒有加入 X.M.P Profile 技術，並完全遵守 JEDEC 規格，其預設最佳 CL 值 1.5V 下運作於 838MHz (DDR3-1676) 下實現 CL 11-11-11-30 ，產品亦標示 Max Bandwidth 為 PC3-12800 800MHz (DDR3-1600) 。

此次我們取得的 6 組樣本 Serial No. 為 213FF790 、 2396EC47 、 2395EC48 、 2396EC58 、 2396EC59 、 2614FF71 ，生產週期分別為 2012 年第 24 、 25 及 26 週，並非廠商提供了 Golden Sample 或是 ES Sample 。

驚異的超頻能力

早前公佈了初步測試，經過數天以來不斷嘗測 Timing 設定後， HKEPC 終於修訂了最佳的 Dual Channel Sub-Timing 時序，令產品所需電壓進一步降低，在 1.5V ~ 1.525V 下可以穩定地運作於 DDR3-2400 (1200MHz) 達成 CL 11-12-11-28 1T ，並且全部可在 1.65V 下達成 DDR3-2500 @ CL 11-12-11-31 1T ，其中 Week 26 的更可以提升至 DDR3-2600 @ CL 11-13-13-35 2T 。

由於記憶體模組沒有加入散熱片，晶片運作時產生的溫度較難散卻， HKEPC 特別為記憶體加了散熱片，發現加入記憶體散熱片後，穩定性大幅提升，建議玩家 DIY 加一個散熱片以提升超頻性能。

在進一步上升至 DDR3-2640 時碰到 MHz Wall 變得較不穩定，要提升至 1.75V 電壓才能完成測試，但熱量上升建議用家加入散熱片提升穩定性。